超高速USB3.0存儲端設計三大注意點
USB接口原本就是目前世界上應用最廣泛的接口，以及人們對于10倍速傳輸速率的需求，造就了近一年來備受矚目的焦點技術之一“超高速USB 3.0”。
在高清畫質與藍光的普及下，USB 3.0大幅減少了檔案傳輸的等待時間。USB 3.0具有向下兼容與超高速兩大優勢，在系統商與芯片廠商的合作下，我們相信該技術一定會迅速普及。正是由于USB 3.0改變了對傳統USB速度較慢的看法，祥碩科技將與大家分享關于USB 3.0存儲端設計應注意的事項。
首先，由于祥碩科技提供的產品是屬于高速的產品，以目前市場上效能最高的產品ASM1051E為例，主要對外的兩個接口分別為USB 3.0端與SATA 6G端，根據目前客戶端量產狀況，成功設計USB 3.0模塊主要有三個要點。
保持高速信號的完整性
信號的質量關系到數據的傳輸是否完整或U盤的可靠性。根據信號完整性制定出電路板的設計規范及組件的擺放位置，差動傳輸線阻抗控制，減少阻抗在電路板上所造成的不連續，而引起的信號多重反射及損失，干擾控制與抑制等，確保符合USBIF兼容測量結果。
USB 3.0設計建議如下：差動特征阻抗為85Ω。印刷電路板的貫孔不能多于二個，以減少信號的衰減。一個信號的貫孔約增加1dB的損失。差動信號長度不超過1.5英寸，預防主控端印刷電路板可能導致的信號損失及USB 3.0連接器與電纜的良莠不齊，以達到最佳的效能。差動信號之間的間距最好多加地信號，以減少信號之間的干擾，如信號旁邊為頻率信號或是切換式電源信號，即再加大3～4倍的間距。在信號交流耦合電容選用0402大小封裝及NPO或是X7R材質，且擺放至接近連接器的位置。如有ESD及EMI組件的選用及擺放，則將組件位置也放在接近連接器的位置，建議的順序為“連接器、ESD、EMI、交流耦合電容、ASM1051E”，注意ESD及EMI的零件選用都要能夠符合要求，差動特征阻抗及信號損失非常低。