英特爾推相變存儲(chǔ)器速度提升1000倍
據(jù)國外媒體報(bào)道，英特爾日前表示，今年下半年將向設(shè)備制造商提供新一代相變存儲(chǔ)器樣品。
據(jù)英國媒體報(bào)道，新一代相變存儲(chǔ)器是一種非易失性的存儲(chǔ)器產(chǎn)品，它集DRAM存儲(chǔ)器的高速存取，以及閃存在關(guān)閉電源后保留數(shù)據(jù)的特性為一體，因此被業(yè)界視為未來DRAM和閃存的替代品。
英特爾閃存部門首席技術(shù)官Ed Doller稱：“從理想的角度講，人們需要一種非易失性DRAM產(chǎn)品，而相變存儲(chǔ)器就十分接近于該目標(biāo)。”
Doller還稱，相變存儲(chǔ)器的讀寫速度相當(dāng)于閃存的1000多倍，而能耗只有當(dāng)前閃存的1/2。目前，英特爾正與意法半導(dǎo)體攜手開發(fā)相變存儲(chǔ)器。
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